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MOS器件的低電壓低規(guī)格趨勢|材料新應用的方法

信息來源:本站 日期:2017-08-07 

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低電壓規(guī)格趨向

如今曾經(jīng)很少有制造商推出新型號的高壓VMOS(1000V以上),市場上的新品的電壓規(guī)格根本上集中在500一600V程度。主要的緣由是,低電壓規(guī)格的VMOS,在功耗方面具有明顯的優(yōu)勢,而且電壓規(guī)格越低,這個優(yōu)勢越明顯。電壓規(guī)格低于100V以后,VMOS的低功耗優(yōu)勢簡直是決議性的。其次是IGBT的開展,可以順應150kHz硬開關的產(chǎn)品曾經(jīng)上市,而且IGBT在高電壓規(guī)格和大功率規(guī)格方面有著明顯的優(yōu)勢。


不過,在電壓規(guī)格方而,(KIA)VMOS也不是完整沒有建樹,豐要開展是新型半導體資料的應用,典型的例了是SiC,相似的開展也表現(xiàn)在IGBT方面。目前實用化的應用是用基于肖特基勢壘的肖特基二極管替代傳統(tǒng)的體二極管,除了有利于降低VMOS的續(xù)流功耗,重要的是,可以進步其抵御“雪崩能量”的才能。關于雪崩能量的問題,相關的闡明在本書的第3章。
同樣從SiC資料受益的還有功率VFET,并且不局限于體二極管的產(chǎn)品也曾經(jīng)面世,電壓規(guī)格可達1700V,只是目前的產(chǎn)量和跟進的制造商不多,市場前景還有待察看。


SiC資料的應用,除了在電壓規(guī)格方面可以有所打破;在低壓產(chǎn)品中也是大有可為,那就是明顯進步器件的適用開關頻率(圖1. 48)。當然,新型半導體的應用,并不儀儀限于SiC,曾經(jīng)開端應用的新型半導體新資料還有GaN、GaAs等。

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