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電源mos管-開(kāi)關(guān)電源mos管的選擇方法大全-KIA 場(chǎng)效應(yīng)管

信息來(lái)源:本站 日期:2017-12-25 

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在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。

1、MOS管種類和結(jié)構(gòu)

MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。

至于為什么不使用耗盡型的MOS管,不建議刨根問(wèn)底。

對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管,比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小,且容易制造。所以開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中,一般都用NMOS。下面的介紹中,也多以NMOS為主。

MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在,這不是我們需要的,而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設(shè)計(jì)或選擇驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候要麻煩一些,但沒(méi)有辦法避免,后邊再詳細(xì)介紹。

在MOS管原理圖上可以看到,漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管,在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載(如馬達(dá)),這個(gè)二極管很重要。順便說(shuō)一句,體二極管只在單個(gè)的MOS管中存在,在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒(méi)有的。

2、MOS管導(dǎo)通特性

導(dǎo)通的意思是作為開(kāi)關(guān),相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。

NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng)),只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。

PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接VCC時(shí)的情況(高端驅(qū)動(dòng))。但是,雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng),但由于導(dǎo)通電阻大,價(jià)格貴,替換種類少等原因,在高端驅(qū)動(dòng)中,通常還是使用NMOS。

3、MOS開(kāi)關(guān)管損失

不管是NMOS還是PMOS,導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在,這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量,這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會(huì)減小導(dǎo)通損耗?,F(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右,幾毫歐的也有。

MOS在導(dǎo)通和截止的時(shí)候,一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個(gè)下降的過(guò)程,流過(guò)的電流有一個(gè)上升的過(guò)程,在這段時(shí)間內(nèi),MOS管的損失是電壓和電流的乘積,叫做開(kāi)關(guān)損失。通常開(kāi)關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多,而且開(kāi)關(guān)頻率越快,損失也越大。

導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大,造成的損失也就很大??s短開(kāi)關(guān)時(shí)間,可以減小每次導(dǎo)通時(shí)的損失;降低開(kāi)關(guān)頻率,可以減小單位時(shí)間內(nèi)的開(kāi)關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開(kāi)關(guān)損失。

4、MOS管驅(qū)動(dòng)

跟雙極性晶體管相比,一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流,只要GS電壓高于一定的值,就可以了。這個(gè)很容易做到,但是,我們還需要速度。

在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到,在GS,GD之間存在寄生電容,而MOS管的驅(qū)動(dòng),實(shí)際上就是對(duì)電容的充放電。對(duì)電容的充電需要一個(gè)電流,因?yàn)閷?duì)電容充電瞬間可以把電容看成短路,所以瞬間電流會(huì)比較大。選擇/設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。

第二注意的是,普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的NMOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里,要得到比VCC大的電壓,就要專門的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器都集成了電荷泵,要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容,以得到足夠的短路電流去驅(qū)動(dòng)MOS管。

上邊說(shuō)的4V或10V是常用的MOS管的導(dǎo)通電壓,設(shè)計(jì)時(shí)當(dāng)然需要有一定的余量。而且電壓越高,導(dǎo)通速度越快,導(dǎo)通電阻也越小。現(xiàn)在也有導(dǎo)通電壓更小的MOS管用在不同的領(lǐng)域里,但在12V汽車電子系統(tǒng)里,一般4V導(dǎo)通就夠用了。

5、MOS管應(yīng)用電路

MOS管最顯著的特性是開(kāi)關(guān)特性好,所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開(kāi)關(guān)的電路中,常見(jiàn)的如開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng),也有照明調(diào)光。


五種常用開(kāi)關(guān)電源MOSFET驅(qū)動(dòng)電路解析

在使用MOSFET設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí),大部分人都會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素,這樣的電路也許可以正常工作,但并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方案。更細(xì)致的,MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對(duì)一個(gè)確定的MOSFET,其驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流,上升速率等,都會(huì)影響MOSFET的開(kāi)關(guān)性能。

當(dāng)電源IC與MOS管選定之后, 選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)連接電源IC與MOS管就顯得尤其重要了。

一個(gè)好的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路有以下幾點(diǎn)要求:

(1)開(kāi)關(guān)管開(kāi)通瞬時(shí),驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值,保證開(kāi)關(guān)管能快速開(kāi)通且不存在上升沿的高頻振蕩。

(2)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通期間驅(qū)動(dòng)電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩(wěn)定且可靠導(dǎo)通。

(3)關(guān)斷瞬間驅(qū)動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放,保證開(kāi)關(guān)管能快速關(guān)斷。

(4)驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠、損耗小。

(5)根據(jù)情況施加隔離。


下面介紹幾個(gè)模塊電源中常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路。

1:電源IC直接驅(qū)動(dòng)MOSFET

電源mos管

圖 1 IC直接驅(qū)動(dòng)MOSFET

電源IC直接驅(qū)動(dòng)是我們最常用的驅(qū)動(dòng)方式,同時(shí)也是最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式,使用這種驅(qū)動(dòng)方式,應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。第一,查看一下電源IC手冊(cè),其最大驅(qū)動(dòng)峰值電流,因?yàn)椴煌酒?,?qū)動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的。第二,了解一下MOSFET的寄生電容,如圖 1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比較大,MOS管導(dǎo)通的需要的能量就比較大,如果電源IC沒(méi)有比較大的驅(qū)動(dòng)峰值電流,那么管子導(dǎo)通的速度就比較慢。如果驅(qū)動(dòng)能力不足,上升沿可能出現(xiàn)高頻振蕩,即使把圖 1中Rg減小,也不能解決問(wèn)題! IC驅(qū)動(dòng)能力、MOS寄生電容大小、MOS管開(kāi)關(guān)速度等因素,都影響驅(qū)動(dòng)電阻阻值的選擇,所以Rg并不能無(wú)限減小。

2:電源IC驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí)

如果選擇MOS管寄生電容比較大,電源IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)能力又不足時(shí),需要在驅(qū)動(dòng)電路上增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力,常使用圖騰柱電路增加電源IC驅(qū)動(dòng)能力,其電路如圖 2虛線框所示。

電源mos管

圖 2 圖騰柱驅(qū)動(dòng)MOS

這種驅(qū)動(dòng)電路作用在于,提升電流提供能力,迅速完成對(duì)于柵極輸入電容電荷的充電過(guò)程。這種拓?fù)湓黾恿藢?dǎo)通所需要的時(shí)間,但是減少了關(guān)斷時(shí)間,開(kāi)關(guān)管能快速開(kāi)通且避免上升沿的高頻振蕩。

3:驅(qū)動(dòng)電路加速M(fèi)OS管關(guān)斷時(shí)間

電源mos管

圖 3 加速M(fèi)OS關(guān)斷

關(guān)斷瞬間驅(qū)動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放,保證開(kāi)關(guān)管能快速關(guān)斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放,常在驅(qū)動(dòng)電阻上并聯(lián)一個(gè)電阻和一個(gè)二極管,如圖 3所示,其中D1常用的是快恢復(fù)二極管。這使關(guān)斷時(shí)間減小,同時(shí)減小關(guān)斷時(shí)的損耗。Rg2是防止關(guān)斷的時(shí)電流過(guò)大,把電源IC給燒掉。

電源mos管

圖 4 改進(jìn)型加速M(fèi)OS關(guān)斷

在第二點(diǎn)介紹的圖騰柱電路也有加快關(guān)斷作用。當(dāng)電源IC的驅(qū)動(dòng)能力足夠時(shí),對(duì)圖 2中電路改進(jìn)可以加速M(fèi)OS管關(guān)斷時(shí)間,得到如圖 4所示電路。用三極管來(lái)泄放柵源極間電容電壓是比較常見(jiàn)的。如果Q1的發(fā)射極沒(méi)有電阻,當(dāng)PNP三極管導(dǎo)通時(shí),柵源極間電容短接,達(dá)到最短時(shí)間內(nèi)把電荷放完,最大限度減小關(guān)斷時(shí)的交叉損耗。與圖 3拓?fù)湎啾容^,還有一個(gè)好處,就是柵源極間電容上的電荷泄放時(shí)電流不經(jīng)過(guò)電源IC,提高了可靠性。

4:驅(qū)動(dòng)電路加速M(fèi)OS管關(guān)斷時(shí)間

電源mos管

圖 5 隔離驅(qū)動(dòng)

為了滿足如圖 5所示高端MOS管的驅(qū)動(dòng),經(jīng)常會(huì)采用變壓器驅(qū)動(dòng),有時(shí)為了滿足安全隔離也使用變壓器驅(qū)動(dòng)。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩,C1的目的是隔開(kāi)直流,通過(guò)交流,同時(shí)也能防止磁芯飽和。

5:當(dāng)源極輸出為高電壓時(shí)的驅(qū)動(dòng)

當(dāng)源極輸出為高電壓的情況時(shí),我們需要采用偏置電路達(dá)到電路工作的目的,既我們以源極為參考點(diǎn),搭建偏置電路,驅(qū)動(dòng)電壓在兩個(gè)電壓之間波動(dòng),驅(qū)動(dòng)電壓偏差由低電壓提供,如下圖6所示。

電源mos管

圖6 源極輸出為高電壓時(shí)的驅(qū)動(dòng)電路

除了以上驅(qū)動(dòng)電路之外,還有很多其它形式的驅(qū)動(dòng)電路。對(duì)于各種各樣的驅(qū)動(dòng)電路并沒(méi)有一種驅(qū)動(dòng)電路是最好的,只有結(jié)合具體應(yīng)用,選擇最合適的驅(qū)動(dòng)。


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