通常用于較高頻率的整流和續(xù)流的產(chǎn)品。 用于電源模塊的輸入部份，頻率不...通常用于較高頻率的整流和續(xù)流的產(chǎn)品。 用于電源模塊的輸入部份，頻率不高，不必用快恢復(fù)二極管，用普通二極管即可。 ? 相對(duì)二極管來說，加在其兩端...
KIA半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。...KIA半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電， ? ? ?也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體...
深圳市可易亞半導(dǎo)體專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)、銷售半導(dǎo)體電子元器件及IC。主營(yíng)：MOSFET、...深圳市可易亞半導(dǎo)體專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)、銷售半導(dǎo)體電子元器件及IC。主營(yíng)：MOSFET、場(chǎng)效應(yīng)管、三端穩(wěn)壓管、快恢復(fù)二極管、高、低壓mos管系類等產(chǎn)品銷售公司。
來自韓國(guó)科學(xué)技術(shù)學(xué)院（Korea Advanced Institute of Science and Technology，...來自韓國(guó)科學(xué)技術(shù)學(xué)院（Korea Advanced Institute of Science and Technology，KAIST）的團(tuán)隊(duì)研發(fā)了一種用于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高性能超薄聚合絕緣體。
KNB3306B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓68V，漏極電流80A，是一款7-10串保護(hù)板專用MOS管...KNB3306B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓68V，漏極電流80A，是一款7-10串保護(hù)板專用MOS管，RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，低導(dǎo)通電阻，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，最小化開關(guān)損耗；開...
KND3204A場(chǎng)效應(yīng)管采用專有新型溝槽技術(shù)，漏源電壓40V，漏極電流100A，是鋰電池...KND3204A場(chǎng)效應(yīng)管采用專有新型溝槽技術(shù)，漏源電壓40V，漏極電流100A，是鋰電池保護(hù)板專用MOS管，RDS（ON），典型值=VGS=10V時(shí)為4mΩ（典型值），極低導(dǎo)通電阻減少...
