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NMOS開(kāi)關(guān)電路測試圖文分享-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2022-07-07 

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NMOS開(kāi)關(guān)電路測試圖文分享-KIA MOS管


以NMOS為例,測試NMOS作為開(kāi)關(guān)的電路設計。試驗用的NOMS為RU75N08,其輸出特性曲線(xiàn)為:


NMOS 電路 測試


從輸出特性曲線(xiàn)可以看出,只要Vgs大于截止電壓4.5V,DS就可以導通了。測試時(shí)直接使Vgs=+12V,Vds=+48V,負載電流最大可達到50A。


為了方便單片機控制Vgs,可加一個(gè)三極管進(jìn)行電壓控制,加一個(gè)光耦進(jìn)行電氣隔離,通過(guò)單片機IO口電平高低來(lái)控制NOMS的通斷。


測試電路如下:

NMOS 電路 測試


IN接單片機IO口,IN為高電平時(shí),發(fā)光二極體通過(guò)電流而發(fā)光,光敏元件受到光照后產(chǎn)生電流,光耦的NPN導通,PNP三極管Vb拉低,PNP導通,Vgs > 4.5V,NMOS導通,負載工作;


IN為低電壓時(shí),光耦不工作,PNP三極管Ve=Vb,PNP截止,Vgs = 0V,NMOS截止,負載不工作。


可以通過(guò)控制IN實(shí)現NMOS開(kāi)關(guān)作用。



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